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J-GLOBAL ID：200903043270571065

ポリシリコン膜の形成方法およびそれを用いた薄膜トランジ スタ

Inventor： 登坂 久雄
Applicant, Patent owner： カシオ計算機株式会社
Agent (1)： 杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993064771
Publication number (International publication number)：1994132220
Application date： Mar. 02, 1993
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 短時間で均一に結晶化されたポシリコン膜を形成する。【構成】 ガラス基板7上に微結晶シリコン膜21とアモルファスシリコン膜22をこの順で積層形成し、この積層膜23を熱アニールして固相成長させる。このようにすると、微結晶シリコン膜22が結晶核となるため、結晶核発生のための時間が不要となり、積層膜23を短時間で均一に結晶化させてポリシリコン膜24を形成することができる。

Claim (excerpt)：

微結晶シリコン膜とアモルファスシリコン膜を積層形成し、この積層膜をアニールして固相成長により結晶化させることにより、ポリシリコン膜を形成することを特徴とするポリシリコン膜の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784