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J-GLOBAL ID：200903043275830425
光電変換素子およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993111529
Publication number (International publication number)：1994326338
Application date： May. 13, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：
【要約】光電変換素子およびその製造方法【目的】 自発分極を有する有機半導体層1に内部電界を形成させ、光電荷生成の効率およびキャリア移動速度を向上させ、光電変換効率が向上した光電変換素子およびその製造方法を提供する。【構成】 シアン化ビニリデン-酢酸ビニル共重合体、ビス(4-N、N-ジメチルアミノ-2-メチルフェニル)-4-N、N-ジメチルアミノフェニルメタン、τ型フタロシアニンをテトラヒドロフランに分散し、ITOを製膜したガラス基板上にスピンコーティングし、約2μmの有機半導体層1を形成する。ホットプレート上で80°Cに加熱した時点で マイナスにコロナ帯電させてそのまま1時間分極し、その後コロナ帯電を継続したままホットプレートのヒータを切断し、放冷する。続いて、有機半導体層1の上に金を約200オングストローム蒸着して電極層2を形成し、光電変換素子とする。
Claim (excerpt)：
自発分極を有する有機半導体層と、前記有機半導体層の自発分極方向に平行でない2つの表面にそれぞれ接するように設けられた2つの電極層のうち少なくとも一方が透明電極層である光電変換素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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