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J-GLOBAL ID：200903043299211238

絶縁膜の形成方法

Inventor： 佐々木 直人 ,  尼崎 義洋
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991183611
Publication number (International publication number)：1993013405
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 耐アッシング性に優れ、クラックの発生もなく、しかも含水分量が少ない、シリコーン樹脂を含有する絶縁膜を形成することを可能とする。【構成】 半導体基板1上に形成された配線2を覆うように層間絶縁膜として有機SOG膜3を塗布し、さらに固化させた後、中空陰極放電による酸素プラズマアッシング処理によりこの有機SOG膜3の表面無機化処理を行う。

Claim (excerpt)：

少なくともシリコーン樹脂を含有する絶縁膜の形成方法において、少なくともシリコーン樹脂を含有する絶縁膜を基板上に塗布し、熱処理を行うことにより上記絶縁膜を固化させ、中空陰極放電による酸素プラズマ処理を行うことにより上記絶縁膜の表面無機化処理を行うようにしたことを特徴とする絶縁膜の形成方法。