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J-GLOBAL ID：200903043314952967

薄膜コンデンサ内蔵型モジュール

Inventor： 豊田 誠司 ,  黒光 祥郎 ,  菅村 邦夫 ,  中林 明
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995203030
Publication number (International publication number)：1997050936
Application date： Aug. 09, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【目的】 実装されるLSIがC-MOS系のLSIの場合にその電気特性に問題を起こすことなく電源ノイズを抑制し得る。放熱特性により一層優れ、高容量で非常に信頼性の高い薄膜コンデンサを内蔵でき、実装面積を広くし得る。【構成】 薄膜コンデンサ内蔵型モジュール40は、窒化アルミニウム基板20上に薄膜コンデンサ17と、この薄膜コンデンサ17上に設けられた薄膜多層回路18とを備える。この窒化アルミニウム基板20は、窒化アルミニウム焼結体11と、この焼結体11上に設けられたAl2O3層12と、このAl2O3層12上に設けられAl2O3にガラスが混在したガラス混在Al2O3層13と、このガラス混在l2O3層13上に設けられた主ガラス層16とにより構成される。

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウム基板(20)上に薄膜コンデンサ(17)と、この薄膜コンデンサ(17)上に設けられた薄膜多層回路(18)とを備えた薄膜コンデンサ内蔵型モジュールであって、前記窒化アルミニウム基板(20)は、窒化アルミニウム焼結体(11)と、前記焼結体(11)上にAl2O3層(12)を介して又はAl2O3層(12)を介さずに設けられAl2O3にガラスが混在したガラス混在Al2O3層(13)と、前記ガラス混在Al2O3層(13)上に設けられた主ガラス層(16)とにより構成されたことを特徴とする薄膜コンデンサ内蔵型モジュール。

IPC (4)：

H01G 4/33 ,  C04B 41/89 ,  H01L 27/01 311 ,  H05K 3/46

FI (6)：

H01G 4/06 102 ,  C04B 41/89 Z ,  H01L 27/01 311 ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 L