Pat

J-GLOBAL ID：200903043324625670

半導体レーザ

Inventor： 尺田 幸男
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994233181
Publication number (International publication number)：1996097504
Application date： Sep. 28, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 電流阻止層で光を吸収せず、出力が大きく発光効率の高い半導体レーザを提供する。【構成】 ヒ化ガリウム系化合物半導体からなる活性層3がヒ化ガリウム系化合物半導体からなる上部および下部クラッド層4、6で挟持され、該上部もしくは下部クラッド層の少なくとも一方の層中に電流路となるストライプ溝が設けられた電流阻止層5を有する半導体レーザであって、前記電流阻止層がチッ化ガリウム系化合物半導体からなる。

Claim (excerpt)：

ヒ化ガリウム系化合物半導体からなる活性層がヒ化ガリウム系化合物半導体からなる上部および下部クラッド層で挟持され、該上部もしくは下部クラッド層の少なくとも一方の層中に電流路となるストライプ溝が設けられた電流阻止層を有する半導体レーザであって、前記電流阻止層がチッ化ガリウム系化合物半導体からなる半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭64-050431
  
• 特開昭63-007692
  

Cited by examiner (2)

• 特開昭64-050431
  
• 特開昭63-007692