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J-GLOBAL ID：200903043330186972

電極アッセンブリ

Inventor： ハオ・ファングリ ,  エリングボエ・アルバート・アール. ,  レンズ・エリック・エイチ.
Applicant, Patent owner： ラム リサーチ コーポレーション
Agent (1)： 特許業務法人明成国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001550777
Publication number (International publication number)：2003519907
Application date： Dec. 22, 2000
Publication date： Jun. 24, 2003
Summary：

【要約】【解決手段】 基板を処理するためのプラズマ処理システムが開示されている。プラズマ処理システムは、処理チャンバを備え、処理チャンバ内では、処理のためにプラズマが点火および維持される。プラズマ処理システムは、さらに、処理チャンバの下端に配置された電極を備える。電極は、処理チャンバ内に電界を発生させるよう構成されている。プラズマ処理システムは、さらに、電極とプラズマとの間のインピーダンスを制御するための要素を備える。インピーダンスは、電界に影響を与えることにより、基板の表面にわたって処理の均一性を改善するよう構成されている。

Claim (excerpt)：

基板を処理するためのプラズマ処理システムであって、 上端と下端とを有すると共に、前記処理のために内部でプラズマが点火および維持される処理チャンバと、 前記処理チャンバの内部に電界を発生させるよう構成されると共に、前記処理チャンバの前記下端に配置された電極と、 前記電極と前記プラズマとの間のインピーダンスを制御するための要素とを備え、前記インピーダンスは、前記電界に影響を与えることにより、前記基板の表面にわたって処理の均一性を改善するよう構成されているシステム。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/505 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (5)：

C23C 16/505 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 101 G

F-Term (22)：

4K030FA03 ,  4K030HA12 ,  4K030KA18 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004BA14 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB29 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045BB01 ,  5F045EM02 ,  5F045EM05 ,  5F045EM09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-147672   Applicant：株式会社日立製作所
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-022736   Applicant：東京エレクトロン株式会社