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J-GLOBAL ID：200903043340876373

加速度検出装置、その製造方法及び膜厚計算方法

Inventor： 米山 寿一 ,  八木 健
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 渡部 温
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998196498
Publication number (International publication number)：1999214705
Application date： Jun. 29, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 製造工程を簡略化することにより、製造コストを低下させた加速度検出装置の製造方法を提供する。【解決手段】 加速度が作用する質量部9、該質量部9に一端が連結する架橋部3、該架橋部3の他端が連結する支持部5、該架橋部3に形成された歪検出部11及び該架橋部3と該支持部5とを連結する部分以外で該支持部5と該架橋部3とを分離する分離部(空間、穴)7を有する半導体基板の製造方法であって、該半導体基板20の表面における該分離部7をエッチングすることにより凹部7aを形成する工程と、該半導体基板20の裏面における該分離部7及び該架橋部3を化学エッチングすることにより、該凹部7aを貫通すると共に該架橋部3の厚さを該質量部9及び該支持部5の厚さより薄く形成する工程と、を具備する。

Claim (excerpt)：

加速度が作用する質量部、該質量部に一端が連結する架橋部、該架橋部の他端が連結する支持部、該架橋部に形成された歪検出部、及び、該架橋部と該支持部とを連結する部分以外で該支持部と該架橋部とを分離する分離部を有する半導体基板の製造方法であって;該半導体基板の表面における該分離部をエッチングすることにより凹部を形成する工程と、該半導体基板の裏面における該分離部及び該架橋部を化学エッチングすることにより、該凹部を貫通すると共に該架橋部の厚さを該質量部及び該支持部の厚さより薄く形成する工程と、を具備することを特徴とする加速度検出装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/84 ,  G01B 21/08 ,  G01P 15/12 ,  H01L 21/66

FI (4)：

H01L 29/84 A ,  G01B 21/08 ,  G01P 15/12 ,  H01L 21/66 P