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J-GLOBAL ID：200903043346289771

酸素含有ケイ素化合物膜の成長方法

Inventor： ラビ クマー ラクスマン ,  デビッド アレン ロバーツ ,  アーサー ケネス ホッチバーグ
Applicant, Patent owner： エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999163791
Publication number (International publication number)：2000077403
Application date： Jun. 10, 1999
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体産業及び関連産業において用いるのに適した二酸化ケイ素膜及び酸窒化ケイ素膜の新しい化学気相成長法を提供する。【解決手段】 O2 、O3 、N2 O、NO、NO2 、NH3 の反応物ガスと式(t-C4 H9 NH)2 SiH2 のシランから膜を成長させる。(t-C4 H9 NH)2 SiH2 の一定の流量を維持しながら反応物のO2 、O3 、N2 O、NO、NO2 、NH3 を変更することで、窒化ケイ素から酸化ケイ素に至るまでの範囲のケイ素含有誘電体の積重体を連続して、同じ温度及び圧力で、成長させることができる。

Claim (excerpt)：

二酸化ケイ素及び酸窒化ケイ素からなる群より選ばれる酸素含有ケイ素化合物の膜を基材上に成長させるための方法であって、ビス(tert-ブチルアミノ)シランを、当該ケイ素化合物が二酸化ケイ素である場合には酸素、オゾン及びそれらの混合物からなる群より選ばれ、あるいは当該ケイ素化合物が酸窒化ケイ素である場合には酸化窒素、アンモニア及びそれらの混合物からなる群より選ばれる反応物ガスと、高温で反応させて当該酸素含有ケイ素化合物の膜を成長させる、酸素含有ケイ素化合物膜の成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318

FI (4)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318 C