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J-GLOBAL ID：200903043364809685

イメージセンシングデバイス及びそれを備えたCMOSイメージセンサー

Inventor： 趙 寅成 ,  朴 允童 ,  陳 暎究 ,  張 丞▲ヒュク▼
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008301644
Publication number (International publication number)：2009147326
Application date： Nov. 26, 2008
Publication date： Jul. 02, 2009
Summary：

【課題】イメージセンシングデバイス及びそれを備えたCMOSイメージセンサを提供する。【解決手段】p-n接合フォトダイオード、及びp-n接合フォトダイオードの上面に金属物質のパターン層を備えたイメージセンシングデバイスと、金属物質のパターン層の上方に形成されたマイクロレンズと、を備え、金属物質は、金、銀、銅、アルミニウム及びタングステンからなる群のうち選択された少なくともいずれか一つからなるCMOSイメージセンサーである。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

p-n接合フォトダイオードと、 前記p-n接合フォトダイオードの上面に金属物質のパターン層と、を備えたことを特徴とするイメージセンシングデバイス。

IPC (4)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  G02F 2/02

FI (4)：

H01L31/10 A ,  H01L27/14 D ,  H01L27/14 A ,  G02F2/02

F-Term (20)：

2K002AA01 ,  2K002AB12 ,  2K002BA01 ,  2K002CA30 ,  2K002EA14 ,  2K002EA25 ,  4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118FA06 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5F049MA02 ,  5F049NA10 ,  5F049NB03 ,  5F049QA03 ,  5F049SZ06 ,  5F049TA12 ,  5F049WA03