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J-GLOBAL ID：200903043369792829

半田バンプの製造方法

Inventor： 仙波 直治
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992143873
Publication number (International publication number)：1993343409
Application date： Jun. 04, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】半田バンプ形成工程に於ける酸化膜形成の低減化を実現させる。【構成】フォトレジスト膜4に設けた開口部にめっき法によりPb/Sn=97/3という組成比の第1の半田めっき膜6と酸化速度の遅いPb/Sn=90/10という組成比の第2のめっき膜5を順次積層して設ける。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けた電極パッドを含む表面にバリヤメタル膜を形成する工程と、前記バリヤメタル膜の上にレジスト膜を形成して前記電極パッド上の前記レジスト膜に開口部を設ける工程と、前記開口部のバリヤメタル膜上にSn含有量の少ない第1のPb-Sn半田膜及び第1のPb-Sn半田膜よりもSn含有量が多く酸化速度の遅い第2のPn-Sn半田膜を順次積層して形成する工程とを含むことを特徴とする半田バンプの製造方法。