Pat
J-GLOBAL ID：200903043383582586
半導体パッケージ用基板
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山中 郁生 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995203878
Publication number (International publication number)：1997036276
Application date： Jul. 17, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：
【要約】【課題】 第1多層基板と第2多層基板との間に介在される放熱コアの外周部を外部に露出させるとともに、放熱コアの外周部にリッド、放熱フィン等の放熱部材を取付可能とすることにより、半導体チップから発生される熱の放散効率を格段に向上することができる半導体パッケージ用基板を提供する。【解決手段】 第2多層基板7を放熱コア4の凹部3内に配置し、第2多層基板7のサイズを第1多層基板2のサイズよりも小さくすることにより、放熱コア4の外周部9を外部に露出させるとともに、外周部9の上面に放熱効果の優れたリッド14を取り付けるように構成する。これにより、半導体チップCが駆動された際に発生する熱を、導電性接着剤10、凹部3の底板3A、外周部9、接着剤13を経てリッド14に伝達し、更にリッド14の全体から外部に放散することが可能となり、半導体チップCから発生される熱の放散効率は格段に向上され得る。
Claim (excerpt)：
第1多層基板と、第1多層基板の上面に積層された放熱コアと、半導体チップを配置するチップ穴が形成されるとともにチップ穴周辺にボンディングパッドが形成され、放熱コア上に積層される第2多層基板とを有する半導体パッケージ用基板において、前記第2多層基板のサイズを第1多層基板のサイズよりも小さくすることにより、前記放熱コアの外周部が外部に露出されたことを特徴とする半導体パッケージ用基板。
FI (3)：
H01L 23/12 N
, H01L 23/12 J
, H01L 23/12 L
