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J-GLOBAL ID：200903043384065801

半導体装置,及び半導体装置の製造方法,並びに半導体装置のダイボンディング方法

Inventor： 後藤 慶
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995039950
Publication number (International publication number)：1996236554
Application date： Feb. 28, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高歩留りで,生産性よく,安価にダイボンディングを行なうことができる半導体装置,及び半導体装置の製造方法,並びに半導体装置のダイボンディング方法を提供する。【構成】 ウエハ1bの裏面にスピンコート法を用いて熱可塑性導電性ポリイミド樹脂層7aを形成したあと、このウエハ1bをチップ単位に分離して、裏面に熱可塑性導電性ポリイミド樹脂層7aを備えた半導体装置1を得る構成とした。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一主面上に、導電性材料からなる粒子を含む熱可塑性樹脂からなる熱可塑性導電性樹脂層を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/02

FI (2)：

H01L 21/52 C ,  H01L 21/02 B