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J-GLOBAL ID：200903043388164839

半導体装置の製造方法

Inventor： 関 哲也
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993186435
Publication number (International publication number)：1995045590
Application date： Jul. 28, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【構成】半導体装置の製造方法に関し、特にAl系金属配線の異方性エッチング方法に関する。Al系配線金属層エッチングにおいて、配線金属層3中に予め側壁保護膜6を形成する不純物である元素15を導入する。元素15として硼素を使用し、配線金属層をハロゲン元素を主ガスとするプラズマによりエッチングする。また配線金属層の下層中に予め側壁保護膜を形成する元素を導入する方法、絶縁層に不純物を導入する方法、該絶縁層上に窒化層を形成する方法等。【効果】元素5がエッチング、オーバーエッチング時に放出され、側壁保護膜6の種として機能するため、従来に対し少ない堆積性ガスでのエッチングが可能となる、低寸法変換差、装置の長寿命化、歩留まり向上が可能となる。また、パターン底部でのエッチング形状が改善され、より微細化されたパターンエッチングが可能となる。

Claim (excerpt)：

金属配線を有する半導体装置の製造方法において、絶縁層を形成する工程と、該絶縁層上に配線金属層を形成する工程と、該配線金属層上にエッチングマスクを形成する工程と、該配線金属層中に不純物を導入する工程と、該配線金属層をハロゲン元素を主ガスとするプラズマによりエッチングする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213

FI (5)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/302 G ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D