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J-GLOBAL ID：200903043407957160

多結晶シリコン薄膜及び該薄膜を用いたトランジスタ

Inventor： 長原達郎 ,  柿木 寿
Applicant, Patent owner： 東燃株式会社
Agent (1)： 久保田 耕平 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991034409
Publication number (International publication number)：1994085261
Application date： Feb. 28, 1991
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ガラス基板上に結晶の連続性が保たれ、アモルファス領域が形成されない多結晶シリコン薄膜を形成する。【構成】 ガラス基板上にフッ化カルシウム膜層を形成し、その上に多結晶シリコン薄膜を成長させるようにしたものであり、フッ化カルシウムは結晶成長し易いとともに、結晶の格子定数がシリコンの格子定数に近いため、フッ化カルシウム膜層上にシリコンをヘテロエピタキシャル成長させて多結晶シリコン膜を形成することができる。この多結晶シリコン膜は結晶の連続性が良いので、トランジスタに応用した場合に活性領域の薄膜化を図ることができ、漏れ電流の低減化等電気特性を向上をさせることができる。

Claim (excerpt)：

ガラス基板上にフッ化カルシウム膜層、多結晶シリコン薄膜が順次積層されていることを特徴とする多結晶シリコン薄膜。