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J-GLOBAL ID：200903043409260507

半導体加工部品の製造方法

Inventor： 矢地 兼雄 ,  田村 勝志
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997058057
Publication number (International publication number)：1998256567
Application date： Mar. 12, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】可動電極部の下部および周囲の犠牲層となる酸化シリコンをエッチングするときに、固定電極部の下部の酸化シリコンがエッチングされずに残っており、したがって、固定電極部の面積を小さくして寄生容量を低減することのできる半導体加工部品の製造方法を提供する。【解決手段】支持板1、酸化シリコン2および上部シリコン層の3層構造よりなる半導体基板の上部シリコン層を加工して固定電極部4および可動電極部3を形成し、固定電極部4の少なくとも固定電極部分4bの周囲の酸化シリコン2上に窓を有するマスクを形成し、このマスクを用いて少なくとも固定電極部分4bの周囲の露出している酸化シリコン2にボロンを注入し、前記マスクを除去した後、フッ酸系水溶液で可動電極部分3dの下部およびその近傍の酸化シリコン2を選択的にエッチングする半導体加工部品の製造方法。

Claim (excerpt)：

支持板、酸化シリコンおよびシリコン層の3層構造よりなる半導体基板の前記シリコン層を加工して固定電極部および可動電極部を形成し、前記固定電極部の少なくとも固定電極部分の周囲の酸化シリコン上に窓を有するマスクを形成し、該マスクを用いて少なくとも前記固定電極部分の周囲の露出している酸化シリコンにボロンを注入し、前記マスクを除去した後、フッ酸系水溶液で前記可動電極部の可動電極部分の下部およびその近傍の酸化シリコンを選択的にエッチングする半導体加工部品の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/84 ,  G01L 1/14 ,  G01P 15/125

FI (3)：

H01L 29/84 Z ,  G01L 1/14 A ,  G01P 15/125