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J-GLOBAL ID：200903043409899850

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、磁気メモリ素子、および磁気センサアセンブリ

Inventor： 島沢 幸司 ,  宮内 大助 ,  水野 友人 ,  土屋 芳弘
Applicant, Patent owner： TDK株式会社
Agent (4)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  岩田 慎一 ,  緒方 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005301580
Publication number (International publication number)：2007110011
Application date： Oct. 17, 2005
Publication date： Apr. 26, 2007
Summary：

【課題】磁気抵抗効果素子において、膜厚を抑え、狭シールドギャップ化を容易とし、かつスピン注入効果によるノイズを低減する。【解決手段】磁気抵抗効果素子1は、ピンド層4とスペーサ層5とフリー層6とがこの順で互いに隣接して形成された第1の積層膜14と、一方の面がフリー層6に隣接して設けられた第1の膜(キャップ層)7と、第1の膜7の他方の面に隣接して設けられた、強磁性体からなる第1の電極膜11と、第1の積層膜14の、第1の電極膜7とは反対側の面に設けられた第2の電極膜12とを有している。第1、第2の電極膜11,12は、第1の積層膜14および第1の膜7に、膜面垂直方向にセンス電流を流すようにされている。第1の膜7は、金、銀、銅、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、クロム、もしくは白金、またはこれらの合金からなっている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

外部磁界に対して磁化方向が固定されたピンド層と、非磁性導電層からなるスペーサ層と、前記外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層とがこの順で互いに隣接して形成された第1の積層膜と、 一方の面が前記フリー層に隣接して設けられた第1の膜と、 前記第1の膜の他方の面に隣接して設けられた、強磁性体からなる第1の電極膜と、 前記第1の積層膜の、前記第1の電極膜とは反対側の面に設けられた第2の電極膜と、 を有し、 前記第1、第2の電極膜は、前記第1の積層膜および前記第1の膜に、膜面垂直方向にセンス電流を流すようにされ、 前記第1の膜は、金、銀、銅、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、クロム、もしくは白金、またはこれらの合金からなる、磁気抵抗効果素子。

IPC (2)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39

FI (3)：

H01L43/08 H ,  G11B5/39 ,  H01L43/08 Z

F-Term (5)：

5D034BA03 ,  5D034BA12 ,  5D034CA04 ,  5D034CA05 ,  5D034DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 薄膜磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-036767   Applicant：松下電器産業株式会社
• 磁気検出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-015001   Applicant：アルプス電気株式会社