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J-GLOBAL ID：200903043412563901

エピタキシャルウェハおよび化合物半導体発光素子ならびにそれらの製造方法

Inventor： 三浦 祥紀 ,  松原 秀樹 ,  関 壽 ,  纐纈 明伯
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995101351
Publication number (International publication number)：1996293473
Application date： Apr. 25, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：

【要約】【目的】 長寿命で高性能の化合物半導体発光素子およびそれを工業的に製造できる方法を提供する。【構成】 GaP基板1と、基板1上に形成されたInNからなるバッファ層2と、バッファ層2上に形成されたIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>Nからなる緩和層3と、緩和層3上に形成されたIn<SB>k </SB>Ga<SB>1-k </SB>Nからなる発光層4とを備える。ここで、kは0<k<1の範囲の一定の値であって、xはバッファ層2側から発光層4側へ厚さ方向に1からkまで(ただし、xは1およびkを除く)減少する。

Claim (excerpt)：

揮発性化合物半導体基板と、前記基板上に形成されたInNからなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、InGaNを含むエピタキシャル層とを備えた、エピタキシャルウェハ。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C