Pat

J-GLOBAL ID：200903043413653173

半導体装置

Inventor： 黒田 英明
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992283973
Publication number (International publication number)：1994112102
Application date： Sep. 28, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 工程の増加なしに、高温スパッタ後もウエハアライメントマークを検出可能にしてAl配線のパターンニングをする。【構成】 本来のアライメントパターン31の内側にAlコンタクトの補助パターン31Hを形成する。補助パターン31Hは、正方形のアライメントパターン31と同様に正方形で、その線幅はAlコンタクトの最小ルールとする。これにより、補助パターンのAlコンタクト中にAlSiが流れ込み、アライメントパターンの端部でAlカバレッジが悪化し、結果的に下地のAlコンタクトアライメントマークが露呈して高温スパッタ後もアライメント信号の検出ができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、少なくとも高温スパッタ工程を含んでAlコンタクトなどでウエハアライメントパターンが形成される半導体装置において、前記ウエハアライメントパターンは、本来のウエハアライメントマークの外側あるいは内側の少なくとも一方に補助パターンを設けて形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/90

FI (2)：

H01L 21/30 301 M ,  H01L 21/30 311 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-272116
  
• 特開平1-239921
  
• 特開平4-061219