Pat

J-GLOBAL ID：200903043420603211

化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子

Inventor： 小河 淳 ,  湯浅 貴之
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997295140
Publication number (International publication number)：1999135882
Application date： Oct. 28, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 窒素を主成分として含むIII-V族化合物半導体の良好な結晶を得ることを目的とする。【解決手段】 マイカ上に、直接又は中間層を介して、窒素を主成分とするIII-V族化合物半導体を結晶成長させてなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

マイカと、該マイカ上に結晶成長された窒素を主成分とするIII-V族化合物半導体とを備えてなることを特徴とする化合物半導体基板。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C