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J-GLOBAL ID：200903043423353500

結晶質シリコン薄膜の形成方法

Inventor： 今城 信彦
Applicant, Patent owner： 旭硝子株式会社
Agent (1)： 泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993293667
Publication number (International publication number)：1995147245
Application date： Nov. 24, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【構成】第1の真空室1で発生したプラズマを第2の真空室2に導き、そこで、シリコンと水素の化合物から選ばれた少なくとも1種類のガスと、フッ素化モノシランガス(SiHm Fn :ただしm+n=4)から選ばれた少なくとも1種類のガスとを原料ガスとしてプラズマ流5に供給して励起、分解し、結晶質シリコン薄膜を形成する。【効果】低い基板温度で、大面積の基板上に均一な膜厚の薄膜を高速かつ効率的に形成できる。

Claim (excerpt)：

第1の真空室においてプラズマを発生させ、該プラズマを第2の真空室に導き、第2の真空室において、該プラズマ中に原料ガスを供給して原料ガスを励起、分解し、基体上に結晶質シリコン薄膜を形成する方法であって、第2の真空室において、シリコンと水素の化合物から選ばれた少なくとも1種類のガスと、フッ素化モノシランガス(SiHm Fn :ただしm+n=4)から選ばれた少なくとも1種類のガスとの混合ガスを原料ガスとして供給することにより基板上に結晶質シリコン薄膜を形成することを特徴とする結晶質シリコン薄膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 31/04 X