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J-GLOBAL ID：200903043423771433

薄膜作成方法および薄膜作成装置

Inventor： 水野 茂 ,  佐藤 誠 ,  田上 学 ,  佐藤 英樹
Applicant, Patent owner： アネルバ株式会社
Agent (1)： 保立 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999066067
Publication number (International publication number)：2000256845
Application date： Mar. 12, 1999
Publication date： Sep. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】 微細なホールの内面への被覆性を向上させつつ成膜速度の低下を抑制し、作成される薄膜の品質や製造されるデバイスの特性等を損なうことのないようにする。【解決手段】 プラズマPの空間電位Vpに対して基板9の表面に所定の電位を与えることでバイアスしてプラズマP中のイオンを入射させながら薄膜が作成される。バイアス機構6は、誘電体ブロック22内のバイアス電極23にパルス状の電極印加電圧Veを印加し、基板表面電位Vsをパルス状に変化させる。パルスの周波数はプラズマP中のイオンの振動周波数以下であり、パルス周期T、パルス幅t、パルス高さhはイオン入射が最適化されるよう制御部62で制御される。基板表面電位Vsがパルス周期Tの終わりには浮遊電位Vfに回復し、イオンの入射エネルギーが薄膜のスパッタリングしきい値をパルス周期Tにおいて一時的に越えるよう、印加パルスが制御される。

Claim (excerpt)：

基板の表面を臨む空間にプラズマを形成するととともに、プラズマの空間電位に対して基板の表面に所定の電位を与えることで基板の表面をバイアスし、バイアスによってプラズマ中のイオンを基板の表面に入射させながら基板の表面に所定の薄膜を作成する薄膜作成方法であって、前記バイアスは、前記基板にパルス状の電圧を印加することで行われるものであり、このパルス状の電圧の周波数は、前記プラズマにおける前記イオンの振動周波数以下であり、さらに、パルス周期、パルス幅及びパルス高さを、前記基板への前記イオンの入射量及びエネルギーが最適となるように制御しながら行うことを特徴とする薄膜作成方法。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/285

FI (4)：

C23C 14/34 U ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 C

F-Term (27)：

4K029BA17 ,  4K029CA05 ,  4K029CA13 ,  4K029DA02 ,  4K029DA04 ,  4K029DA08 ,  4K029DC03 ,  4K029DC35 ,  4K029DC41 ,  4K029EA00 ,  4K029JA01 ,  4K030BA18 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030HA13 ,  4K030KA20 ,  4K030KA23 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  4K030LA00 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104DD39 ,  4M104DD44 ,  4M104HH11 ,  4M104HH13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平2-141572