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J-GLOBAL ID：200903043455332148

半導体装置

Inventor： 青木 正身 ,  竹大 精一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993099501
Publication number (International publication number)：1994310671
Application date： Apr. 26, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電極の総表面積をより大きくすることができ、DRAMセルに必要なキャパシタ容量の増大をはかり得る半導体記憶装置を提供すること。【構成】 シリコン基板上に形成された、一部にSNコンタクト部11を有する絶縁膜24と、この絶縁膜上24にSNコンタクト部11を覆うように形成された電極13とを備えた半導体記憶装置において、電極13は最小加工寸法よりも小さい幅の溝14により複数に分離され、かつ分離された各電極はSNコンタクト部11に埋め込まれた電極材料により電気的に接続されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された、一部にコンタクト部を有する絶縁膜と、この絶縁膜上にコンタクト部を覆うように形成され、かつ最小加工寸法よりも小さい幅の溝により複数に分離された電極とを具備し、前記分離された各電極は前記コンタクト部に埋め込まれた導電材料により電気的に接続されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04