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J-GLOBAL ID：200903043463972113

整流用半導体装置

Inventor： 若田部 勝 ,  九里 伸治
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991203969
Publication number (International publication number)：1993029635
Application date： Jul. 18, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 逆方向特性を低下させることなく、順方向特性を大幅に改善し、かつ、スイッチング特性の優れた低損失の整流用半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 アノ-ド電極とカソ-ド電極間のN(P)型半導体に、P+(N+)型半導体で挟む第1領域、及び低濃度のP(N)型半導体で挟む第2領域から成る第1チャネル部と第3領域から成る第2チャネル部を順次、設け、かつ、第1チャネル部の幅は第1領域より第2領域の方をせまくすることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

アノ-ド及びカソ-ド電極間に介在する一導電型半導体に、逆導電型半導体で挟む第1領域、及び前記逆導電型半導体より低濃度の逆導電型半導体で挟む第2領域より成る第1チャネル部と、逆導電型半導体で挟まない第3領域から成る第2チャネル部を、アノ-ド電極側から第1領域、第2領域及び第3領域の順序で形成すると共に、第1チャネル部の幅は第2領域の方を第1領域よりせまくしたことを特徴とする整流用半導体装置。