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J-GLOBAL ID：200903043473800647

化合物半導体装置の製造方法

Inventor： 近藤 雅陽
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992067265
Publication number (International publication number)：1993275373
Application date： Mar. 25, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 メッキ用電極のステップ断線を防止することにより、メッキ電極を安定して形成すること。【構成】 オーミック電極(12)の上にシリコン窒化膜から成る第1の絶縁膜(13)とポリイミドから成る第2の絶縁膜(15)を形成する。レジストパターンにより第2の絶縁膜(15)と第1の絶縁膜(13)を順次開口し、その後で第2の絶縁膜(15)の追加エッチを行うことによりなだらかな側壁を形成する。全面にメッキ用電極(19)を形成し、電解メッキ法により上層電極(21)を形成する。

Claim (excerpt)：

半絶縁性基板の上部にオーミック電極を形成し、その上にシリコン窒化膜から成る第1の絶縁膜を形成し、その上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜の上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンにより前記第2の絶縁膜を開口する工程と、続いて前記第1の絶縁膜を開口する工程と、前記第2の絶縁膜の開口を前記第1の絶縁膜の開口より大となるように前記第2の絶縁膜を追加エッチする工程と、前記レジストパターンを除去して、前記オーミック電極および前記第2の絶縁膜上にメッキ用電極を形成する工程と、前記オーミック電極の上部に電解メッキにより電極を形成する工程とを具備することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/288 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/90 ,  H01L 29/50 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812