Pat

J-GLOBAL ID：200903043484553501

一電子トンネルトランジスタ及びその集積回路

Inventor： 蒲原 史朗 ,  鳥谷部 達 ,  片山 弘造 ,  山本 秀一 ,  井原 茂男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991265940
Publication number (International publication number)：1993110065
Application date： Oct. 15, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、一電子トンネル現象特にp-n接合における価電子帯と伝導帯間のバンド間一電子トンネル現象を利用した一電子トンネルトランジスタを用いた集積回路を提供する。【構成】フェルミレベルが価電子帯と重なる程度に不純物を導入したp型半導体と、フェルミレベルが伝導帯と重なる程度に不純物を導入したn型半導体を接合することにより形成され、クーロンブロケイドによりバンド間トンネルが禁止される程度の接合面積を有するp-n接合を一電子トンネルトランジスタの基本構成要素とし、集積回路を構成する。【効果】一電子トランジスタ及びその集積回路に於てp-n接合により構成される微小キャパシタを一電子トンネルトランジスタの基本構成要素とすることにより、素子の信頼性が向上し、製造工程が簡易化される。

Claim (excerpt)：

指定された動作温度に於て、フェルミレベルが価電子帯と重なる程度に不純物を導入したp型半導体と指定された動作温度に於て、フェルミレベルが伝導帯と重なる程度に不純物を導入したn型半導体を接合することにより形成され、指定された動作温度に於てp型半導体の価電子帯からn型半導体の伝導帯への電子のバンド間トンネルもしくはその逆方向の電子のバンド間トンネルを可能とする程度の空乏層幅を有し、指定された動作温度、指定された微小キャパシタ間電圧に於て、クーロンブロケイドによりp型半導体の価電子帯からn型半導体の伝導帯への電子のバンド間トンネルもしくはその逆方向の電子のバンド間トンネルが禁止される程度の接合面積を有するp-n接合微小キャパシタを基本構成要素とすることを特徴とする一電子トンネルトランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/68 ,  H01L 27/118 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/11 ,  H01L 29/804 ,  H01L 27/095

FI (5)：

H01L 21/82 M ,  H01L 27/06 F ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 29/80 A ,  H01L 29/80 E