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J-GLOBAL ID：200903043500022775

磁気抵抗効果膜

Inventor： 鈴木 淳子 ,  鹿野 博司
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994200881
Publication number (International publication number)：1996049063
Application date： Aug. 25, 1994
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高温下でも磁気抵抗効果特性の劣化が生じにくく、巨大磁気抵抗効果が安定して得られる磁気抵抗効果膜を提供することを目的とする。【構成】 導体層と磁性体層とが交互に積層されてなる人工格子膜構造の磁気抵抗効果膜、又は磁性体層と導体層と磁性体層とがこの順に積層されてなるスピンバルブ構造の磁気抵抗効果膜において、導体層の主成分をCu,Ag,Crより選ばれる元素として、これら主成分である元素に対する固溶上限が室温において1%以下の添加元素を導体層に0.1〜30原子%添加させる。あるいは、磁性体層の主成分をFe,Co,Niとして、これら主成分である元素に対する固溶上限が室温において1%以下の添加元素を磁性体層に0.1〜30原子%添加させる。

Claim (excerpt)：

導体層と磁性体層とが交互に積層されてなる人工格子膜構造の磁気抵抗効果膜において、導体層が、Cu,Ag,Crより選ばれる元素を主成分とし、且つ、これら主成分である元素に対する固溶上限が室温において1%以下の添加元素を0.1〜30原子%含むことを特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (6)：

C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01L 43/02