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J-GLOBAL ID：200903043504066858

半導体装置

Inventor： 丸山 篤
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991324874
Publication number (International publication number)：1993304248
Application date： Dec. 10, 1991
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】パワートランジスタモジュールなどの電力用半導体装置を対象に、高い放熱性,ノイズ耐量を確保しつつ、金属絶縁基板の所要面積を縮減して装置全体の小形化が図れるように構成した半導体装置を提供する。【構成】樹脂ケース5に金属絶縁基板1, 該金属絶縁基板にマウントした半導体チップ(パワートランジスタ)2, 制御回路部品3, および外部導出端子4を組み込んでなる半導体装置において、樹脂ケース内の中段位置に半導体チップの実装域を欠如して金属絶縁基板の上面域を覆う中仕切壁5aを設け、この中仕切壁の上面側に半導体チップと隔離して外部導出端子, 制御回路部品,およびその配線導体を配置するとともに、半導体チップは金属箔1cがパターンニングを施してない金属絶縁基板の上に放熱用金属板を介してマウントする。

Claim (excerpt)：

樹脂ケースに金属絶縁基板, 該金属絶縁基板にマウントした半導体チップ, 制御回路部品, および外部導出端子を組み込み、半導体チップと制御回路部品, 外部導出端子との間をワイヤボンディングして内部接続した半導体装置において、前記ケース内の中段位置に半導体チップの実装域を欠如して金属絶縁基板の上面域を覆う中仕切壁を設け、該中仕切壁の上面側に外部導出端子,制御回路部品,およびその配線導体を配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12

FI (3)：

H01L 25/04 C ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 F