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J-GLOBAL ID：200903043509489536

半導体レーザ

Inventor： 杉本 喜正
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992039941
Publication number (International publication number)：1993251811
Application date： Feb. 27, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体レーザ素子において、量子細線や量子箱を周期的に分布させる事により、効率良く単一モード発振する半導体レーザを提供することにある。【構成】 量子箱103を半導体レーザの活性層中に形成する。その量子箱が光の進行方向に素子内の光の波長の半分の自然数倍と同程度の周期で周期的に分布していることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

光を発する第1半導体層とその両側に位置し、第1層より禁制帯幅が大きく、屈折率の小さい第2層と第3層を有し、かつ第2層と第3層は互いに逆の導電型を示す半導体レーザにおいて、第1層は電子のドブロイ波長と同程度以下の大きさの第1の物質と、そのまわりを囲む第1の物質より禁制帯幅の大きい第2の物質からなり、この第1の物質が光の進行方向に、素子内の光の波長の半分の自然数倍と同程度の周期で周期的に分布していることを特徴とする半導体レーザ。