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J-GLOBAL ID：200903043538350890

六方晶窒化ホウ素単結晶の育成方法

Inventor： 佐々木 孝友 ,  森 勇介 ,  吉村 政志
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000194989
Publication number (International publication number)：2001072499
Application date： Jun. 28, 2000
Publication date： Mar. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】 従来の1800°Cよりもはるかに低い反応加熱温度にて、より大型サイズのh-NB単結晶の育成を可能とする。【解決手段】 ホウ素と窒素原料とをナトリウムの存在下に密閉状態において加熱してバルク状六方晶窒化ホウ素単結晶を育成する。

Claim (excerpt)：

ホウ素単体と窒素源材料とをナトリウムの存在下に密閉状態において加熱してバルク状六方晶窒化ホウ素単結晶を育成することを特徴とする六方晶窒化ホウ素単結晶の育成方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  C01B 35/14 ,  C30B 9/12

FI (3)：

C30B 29/38 A ,  C01B 35/14 ,  C30B 9/12

F-Term (7)：

4G077AA01 ,  4G077BE12 ,  4G077CC01 ,  4G077EA02 ,  4G077EC07 ,  4G077LA01 ,  4G077LA05