Pat

J-GLOBAL ID：200903043547163253

半導体装置及び半導体装置のオペレーティング方法

Inventor： 平瀬 順司 ,  赤松 寛範 ,  赤松 晋 ,  堀 隆
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994251836
Publication number (International publication number)：1995183469
Application date： Oct. 18, 1994
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 オフリークが少なくかつ動作速度が高いという相反する特性を有するMISトランジスタを提供する。【構成】 基板部,ゲート,ソース及びドレインを有するMISトランジスタ20と、MISトランジスタ20の基板部に印加される基板バイアスを発生する基板バイアス発生回路3と、MISトランジスタ20の基板部と基板バイアス発生回路3との間に介設されMISトランジスタの作動時と非作動時とで両端の電位が変化する抵抗体4とを設ける。MISトランジスタ20は、作動時には基板バイアスが浅くなる一方、非作動時には基板バイアスが深くなり、自己調整的に基板バイアスが変化する。したがって、作動時には基板バイアスが浅いことで、しきい値が低減し、動作が高速になる一方、非作動時には基板バイアスが深くなることで、オフリークが低減する。

Claim (excerpt)：

基板部,ゲート,ソース及びドレインを有するMISトランジスタと、上記MISトランジスタの基板部に印加される基板バイアスを発生する基板バイアス発生回路と、上記MISトランジスタの基板部と基板バイアス発生回路との間に介設されMISトランジスタの作動時と非作動時とで両端の電位が変化する抵抗体とを備え、上記MISトランジスタは、作動時と非作動時とでは自己調整的に基板バイアスが変化する基板バイアス自己調整型MISトランジスタとして構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2)：

H01L 27/04 G ,  H01L 27/10 325 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-066159
  
• 特開昭59-189675
  
• 特開平4-302897