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J-GLOBAL ID：200903043554106869

光電変換素子及びその製造方法

Inventor： 尾▲崎▼ 祐介 ,  川上 哲司 ,  中島 啓造 ,  脇田 克也 ,  園田 信雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993320004
Publication number (International publication number)：1995176773
Application date： Dec. 20, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光電変換素子の光電気エネルギー変換効率を向上させる。【構成】 半導体層の表面に凹凸加工を施し、積層方向投影面積当たりの担持色素数を増加させる。

Claim (excerpt)：

透明導電体層及び前記透明導電体層の上に形成された半導体層に色素を担持させた色素担持半導体層とを有する電極と、前記色素担持半導体層と対向する対電極と、前記色素担持半導体層と前記対電極との間に設けられた電子移動層とを具備し、前記色素担持半導体層の色素が担持される面が凹凸を有する光電変換素子。