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J-GLOBAL ID：200903043569987500
発光ダイオード
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
寺田 實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992175768
Publication number (International publication number)：1994090020
Application date： Jul. 02, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：
【要約】【目的】 発光領域が広く、発光効率の高い発光ダイオードを提供する。【構成】 半導体基板上にエピタキシャル成長発光層を積載した発光ダイオードにおいて、発光層上に電気抵抗が1〜1×10-3Ωcmと低いエピタキシャル層とを配置し、電極より印加された電流が発光層の全面に拡散するようにした。
Claim (excerpt)：
化合物半導体基板上にエピタキシャル成長発光層を積載した発光ダイオードにおいて、基板と反対側の発光層の上に電気抵抗の高いエピタキシャル成長層と電気抵抗の低いエピタキシャル成長層とを具備したことを特徴とする発光ダイオード。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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