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J-GLOBAL ID：200903043572182114
自己整合ポリシリコン接触
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992137357
Publication number (International publication number)：1993166835
Application date： May. 29, 1992
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 自己整合ポリシリコン接触を形成する集積回路の製作方法を提供する。【構成】 窒化物最上部層を有するゲート構造(5)とフィールドオキサイド領域(3)の間に、ポリシリコンプラグ(15)を形成することにより、電界効果トランジスタへのゲート接触(19)がソース/ドレイン上に開けられる。接触(19)はゲート構造(5)及びポリシリコンプラグ(15)を、酸化しエッチングすることにより形成される。後者の工程はポリシリコンプラグ(15)とゲート構造(5)の最上部上の材料の酸化速度が異なるために、異なる厚さをもつ酸化物層が生じることから、ゲート接触は開けるが、プラグ(15)中のシリコンは露出しない。次に窒化物が除去され、ゲート構造(5)へ接触(19)が形成される。
Claim (excerpt)：
基板(たとえば1)上に絶縁領域(たとえば3)を形成する工程;絶縁領域(たとえば3)間の前記基板(たとえば1)上にゲート構造(たとえば5)を作製し、それによって前記ゲート構造(たとえば5)と前記絶縁領域(たとえば3)の間に領域(たとえば14)を形成し、前記ゲート構造(たとえば5)は絶縁性側壁(たとえば13)、導電層(たとえば9)及び第1の材料から成る絶縁性最上部層(たとえば11)を有し、前記領域(たとえば14)はソース及びドレイン領域を含み、前記ゲート構造(たとえば5)は前記ソース及び前記ドレイン領域の間にある工程;前記ゲート構造(たとえば5)と前記絶縁領域(たとえば3)の間に、ポリシリコンプラグ(たとえば15)を作成する工程;前記プラグ(たとえば15)及び前記第1の材料(たとえば11)の表面を酸化する工程;第1の材料(たとえば11)の最上部上の酸化物及び前記第1の材料(たとえば11)の両方を除去するためエッチングを行い、それによって前記導電層(たとえば9)の一部が露出されるが、ポリシリコンプラグ(たとえば15)の最上部上の酸化物は残る工程;前記ゲート構造(たとえば5)に電気的接触(たとえば19)を形成し、前記接触(たとえば19)は前記ソース/ドレイン領域(たとえば21)上に延び、前記絶縁領域(たとえば3)まで延びる工程を含む半導体集積回路の作製方法。
IPC (2)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
Cited by examiner (8)
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