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J-GLOBAL ID：200903043577045433

被膜の形成方法、及び該被膜の形成装置

Inventor： 蔵本 慶一 ,  平野 均 ,  堂本 洋一 ,  樽井 久樹 ,  木山 精一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997107885
Publication number (International publication number)：1998081974
Application date： Apr. 24, 1997
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 従来の装置にあっては、基板(28)上に形成される炭素被膜は一般的に内部応力が高く、膜厚の増加に伴って、被膜の剥離、ないしは基板の反りが発生していた。【解決手段】 本発明の被膜の形成方法は、被膜を形成する基板(28)に、自己バイアス電圧を発生させるための高周波電圧を印加し乍ら、出発ガスをプラズマ分解して、上記基板(28)に堆積させる被膜の形成方法において、上記基板(28)上への被膜の形成中に、上記高周波電圧の波形を変化させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

被膜を形成する基板に高周波電圧を印加し乍ら、出発ガスをプラズマ分解して、上記基板に堆積させる被膜の形成方法において、上記基板上への被膜の形成中に、上記高周波電圧の波形を変化させることを特徴とする被膜の形成方法。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04

FI (3)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04 D