マイクロ波プラズマ処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：廣澤勲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002315628
Publication number (International publication number)：2004152940
Application date： Oct. 30, 2002
Publication date： May. 27, 2004
Summary：

【課題】効率よくECR磁場を形成することができると共に、高密度で均一なプラズマを生成することができるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】ECRプラズマを発生させるための永久磁石20が矩形状に形成され、矩形状を含む平面の一方の側には同じ磁極が位置するように外枠磁石22を配置し、外枠磁石22の内側に外枠磁石22の磁極とは反対の磁極の中央部磁石24を設ける。永久磁石20は、真空室12の天蓋14の天井面に固着され、真空室12内には、マイクロ波放射用のアンテナ26が突設され、アンテナ26の先端部26aはL字状に屈曲している。アンテナ26の真空室12内の突出長さは、マイクロ波の波長λの4分の1の長さである。アンテナ26の真空室12内の突出位置は、永久磁石20の端面からマイクロ波のTE01モードの管内波長λg0の4分の1の間隔を空けた位置である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるための永久磁石を、真空室の内壁側に配置したマイクロ波プラズマ処理装置において、上記永久磁石は、矩形状に形成され、この矩形状を含む平面の一方の側には同じ磁極が位置するように外枠磁石を配置し、この外枠磁石の内側の中央部に外枠磁石の磁極とは反対の磁極の中央部磁石が位置したことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (6)：

H01L21/3065 , B01J3/00 , B01J19/08 , C23C16/511 , H01L21/205 , H05H1/46

FI (6)：

H01L21/302 101D , B01J3/00 J , B01J19/08 E , C23C16/511 , H01L21/205 , H05H1/46 C

F-Term (32)：

4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075BC04 , 4G075BC06 , 4G075CA26 , 4G075CA47 , 4G075CA65 , 4G075DA02 , 4G075DA18 , 4G075EB01 , 4G075EC25 , 4G075EE01 , 4G075EE31 , 4G075FC20 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030FA02 , 4K030KA12 , 4K030KA15 , 4K030KA30 , 4K030KA34 , 4K030LA15 , 5F004BA14 , 5F004BB07 , 5F004BB14 , 5F004BB32 , 5F004BD04 , 5F045AA10 , 5F045DP02 , 5F045EC01 , 5F045EH02 , 5F045EH17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

マイクロ波プラズマ発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-247772 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭62-142765
ECRプラズマ源用の同軸共鳴マルチポートマイクロ波アプリケータ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-527682 Applicant：アプライドマイクロウェーブプラズマコンセプツインコーポレーテッド

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