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J-GLOBAL ID:200903043582946945

位相シフトフォトマスク及びその作製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 韮澤 弘 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995239631
Publication number (International publication number):1997080737
Application date: Sep. 19, 1995
Publication date: Mar. 28, 1997
Summary:
【要約】【課題】 位相差を直読しつつ180°に正確に合わせることができ、レジストのウェットエッチング液耐性について検討する必要がなく、高精度で高品質な位相シフトフォトマスクの作製方法。【解決手段】 透明基板1上に基板側からエッチングストッパー層5、位相シフターパターン4、遮光パターン2の順に形成されてなる位相シフトフォトマスクの作製方法において、遮光パターン2の一部の開口部に対応する部分の位相シフター層をドライエッチング(図(j))した後、遮光パターン2の全ての開口部に対応する部分の位相シフター層4をウェットエッチングによりサイドエッチングを行う(図(l))。
Claim (excerpt):
透明基板上に基板側からエッチングストッパー層、位相シフターパターン、遮光パターンの順に形成されてなる位相シフトフォトマスクにおいて、遮光パターンの全ての開口部に対応する部分の位相シフター部がサイドエッチングされてなることを特徴とする位相シフトフォトマスク。
IPC (2):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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