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J-GLOBAL ID：200903043585219831

常圧CVD装置

Inventor： 海谷 有一
Applicant, Patent owner： 山形日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991214896
Publication number (International publication number)：1993051747
Application date： Aug. 27, 1991
Publication date： Mar. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】常圧CVD装置において2種類以上の材料ガスを用いて成膜しようとする場合、その材料ガスの不完全な混合により生じる、膜厚均一性の悪化及び膜質均一性の悪化をなくす。【構成】複数の材料ガスを導入するガス導入管1と、この導入管に接続されたマニホールド3と、このマニホールド3に接続された混合用のタンク5と、このタンク5に接続されたノズル7とを含んで構成される。予め混合された材料ガスは、本発明である材料ガス混合装置6のタンクに導入され、拡散混合を促進すると共に、電極6A,6Bにより高周波が印加される。高周波の印加によりタンク内の材料ガスは、一種のプラズマ状態となる事により又、分子運動の活性化により、混合が促進されノズル7に送られる。この場合、材料ガス(SiH4 ,PH3 ,N2 )と、O2 ガスは、混合しない。

Claim (excerpt)：

複数の材料ガスを導入するガス導入管と、このガス導入管に接続されたマニホールドと、このマニホールドに接続された混合用のタンクと、このタンクに接続されたノズルとを含むことを特徴とする常圧CVD装置。

IPC (4)：

C23C 16/44 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/205