Pat

J-GLOBAL ID：200903043638534009

チタン酸化物薄膜の製造方法

Inventor： 神代 善正
Applicant, Patent owner： 石原産業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991262519
Publication number (International publication number)：1994340422
Application date： Sep. 17, 1991
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】結晶性の均一なチタン酸化物薄膜を低い温度で製造する。【構成】有機チタン化合物を含むガスを、高周波放電によるプラズマ発生下で処理して、酸化マグネシウム基板上にチタン酸化物薄膜を形成させる。

Claim (excerpt)：

有機チタン化合物を含むガスを、高周波放電によるプラズマ発生下で処理して、酸化マグネシウム基板上にチタン酸化物薄膜を形成させることを特徴とするチタン酸化物薄膜の製造方法。

IPC (5)：

C01G 23/04 ,  C01G 23/07 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  C30B 25/02