半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994038157
Publication number (International publication number)：1995249795
Application date： Mar. 09, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】サファイア基板上に高品質なAlGaInN系薄膜を再現性良く成長して、高輝度短波長半導体発光素子の実現を可能とする。【構成】サファイア基板10上にバッファ層を介してAlGaInN系材料からなる複数の半導体層を積層してなる半導体発光素子において、バッファ層を、基板10の表面に10nm以下の厚さに疎らに(粒状に)形成されて多孔質状となる極性制御及び核形成用のAlN第1バッファ層11と、第1バッファ層11の上にバッファ層11よりも厚く形成された熱歪み緩和用のInN第2バッファ層12とで構成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上にバッファ層を介してAlGaInN系材料からなる複数の半導体層を積層してなる半導体素子において、前記バッファ層は、AlGaInN系材料からなり、極性制御及び核形成のために前記基板表面に多孔質状に形成されたものであることを特徴とする半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開平2-229476
特開平4-297023
半導体発光素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-219179 Applicant：日本電信電話株式会社

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