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J-GLOBAL ID：200903043644153696
半導体レーザの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991203979
Publication number (International publication number)：1993152671
Application date： Jul. 16, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 活性層が超格子の半導体レーザにおいて、その製造段階での操作性を良好にし、大面積ウェハへの適用を容易とし、歩留りを向上させ、さらに製造工程数を低減する。【構成】 固相拡散によって超格子活性層3をディスオーダし、拡散後、固相拡散に使用した膜をエッチングマスク及び選択成長マスクにも利用する。
Claim (excerpt)：
活性層を超格子とする半導体レーザの製造方法において、固相拡散によって不純物を拡散させることによって超格子をディスオーダさせる工程を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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