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J-GLOBAL ID：200903043645431339

パターン形成方法

Inventor： 南 伸太朗 ,  西村 浩之 ,  足達 廣士 ,  林出 吉生 ,  岸村 眞治
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992287666
Publication number (International publication number)：1994138664
Application date： Oct. 26, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 レジストプロセスを用いた多層配線形成時でのフォトレジストに対する効果的な反射防止膜,フォトレジスト発泡防止膜を得る。【構成】 フォトリソグラフィーによる露光処理に際して、フォトレジスト膜に対する反射防止膜,ないしは、フォトレジスト発泡防止膜として、フォトレジスト膜の下層側,または上層側に、フォトリソグラフィーに用いる光を吸収する色素,または化合物を含むシリコーンラダーポリマー膜を形成させる。

Claim (excerpt)：

パターン形成される金属層などの被パターン形成層上にフォトレジスト膜を成膜させた後、当該フォトレジスト膜を所要パターン通りに露光かつ現像処理してレジストパターンを形成させると共に、当該レジストパターンをマスクに用い、前記被パターン形成層を選択的に除去してパターニングするパターン形成方法において、前記フォトレジスト膜の下層側,または上層側に対し、露光処理の際の反射防止膜,フォトレジスト発泡防止膜として、下式,化(1)で示されるシリコーンラダーポリマー膜を形成することを特徴とするパターン形成方法ことを特徴とするパターン形成方法。【化1】(こゝで、上式中、R1は、フェニル基,または低級アルキル基,あるいは感光基であって、同種でもよく、異種でもよい。R2は、水素原子,または低級アルキル基,あるいは感光基であって、同種でもよく、異種でもよい。nは、20〜1000の整数を示す。)

IPC (4)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/11 ,  H01L 21/027 ,  H05K 3/06