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J-GLOBAL ID:200903043648525423

ナノ構造体を用いたセンサ素子、分析チップ、分析装置、およびセンサ素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008043606
Publication number (International publication number):2009198467
Application date: Feb. 25, 2008
Publication date: Sep. 03, 2009
Summary:
【課題】流路において露出したナノ構造体を有するセンサ素子であり、信頼性が高く簡易に形成できるセンサ素子を提供する。【解決手段】シリコンナノワイヤ3は、少なくとも一部を溝部5において露出し、かつ、基板2と一体に構成されている。また、基板に形成されたソース半導体領域は溝部5の片側の側壁の一部を成し、ドレイン半導体領域は溝部5のもう片側の側壁の一部を成している。【選択図】図1
Claim (excerpt):
溝部が設けられた面を有する基板と、 少なくとも一部を上記溝部において露出し、かつ、上記基板と一体に構成されたナノ構造体と、 上記記ナノ構造体と同質の材料で構成され、上記ナノ構造体と接続し、かつ、上記溝部の両側壁のそれぞれ一部を成すように上記基板に形成されたナノ構造体接続領域と、 を有していることを特徴とするセンサ素子。
IPC (3):
G01N 27/00 ,  B82B 3/00 ,  B82B 1/00
FI (3):
G01N27/00 Z ,  B82B3/00 ,  B82B1/00
F-Term (9):
2G060AA07 ,  2G060AD06 ,  2G060AE17 ,  2G060AG01 ,  2G060AG06 ,  2G060AG15 ,  2G060DA02 ,  2G060DA06 ,  2G060DA09
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • ナノセンサ
    Gazette classification:公表公報   Application number:特願2002-549958   Applicant:プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ
Cited by examiner (7)
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