Pat
J-GLOBAL ID：200903043653245080
CMOSイメ-ジセンサ及びその駆動方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷 照一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999364910
Publication number (International publication number)：2000196962
Application date： Dec. 22, 1999
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 CDS方式で動作させるCMOSイメージセンサにおいて、画素アレイを少ない数のトランジスタで構成して、全体のチップ面積を減らす。【解決手段】 M×N個に配列された画素アレイの各単位画素を、外部の物体からイメージを感知して電荷を生成する光電荷生成手段と、光電荷生成手段の出力側に連結され第1制御信号に応答して光電荷生成手段内に完全空乏領域を形成させ、上記出力側に上記第1制御信号のレベルに該当するリセット電圧レベルを供給し、同時に同一のカラムライン上に並ぶ次のローラインの単位画素に電位を供給するリセット手段と、同一のカラムラインに並ぶ前のローラインの単位画素から電位を印加されて、前記出力側の電圧レベルを増幅する増幅手段と、第2制御信号に応答して増幅手段からの出力信号をスイッチングして、イメージセンサの出力端に出力するためのスイッチング手段とを備えてなる。
Claim (excerpt)：
ローラインにM個、カラムラインにN個の単位画素で構成された画素アレイを含むCMOSイメージセンサにおいて、各単位画素は、センシングノードに連結され、外部の物体からのイメージを感知して電荷を生成する光電荷生成手段と、前記センシングノードに連結され、第1制御信号に応答して前記光電荷生成手段内に完全空乏領域を形成させ、前記センシングノードに前記第1制御信号のレベルに該当するリセット電圧レベルを供給して、同時に同一のカラムライン上に位置する次のローラインの単位画素に電位を供給するリセット手段と、同一のカラムラインに位置する前のローラインの単位画素から電位を印加されて、前記センシングノードの電圧レベルを増幅するための増幅手段と、前記増幅手段と出力端の間に連結され、第2制御信号に応答してスイッチング動作を介して前記増幅手段からの出力信号を前記出力端に出力するためのスイッチング手段とを含んでなることを特徴とするCMOSイメージセンサ。
IPC (2)：
FI (3)：
H04N 5/335 E
, H04N 5/335 P
, H01L 27/14 A
