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J-GLOBAL ID：200903043677095187
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992321853
Publication number (International publication number)：1994168988
Application date： Dec. 01, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】 この発明は、高周波特性を改善した半導体装置を提供することにある。【構成】 この発明は、樹脂により封止されたチップ1のソース端子4面が外部の接地電位面の近傍に配置され、チップ1のソース端子4が接続される部位の近傍におけるインナーリード5の一部が、インナーリード5の終端に至る以前に樹脂封止体3から露出されて接地電位に接続され、露出部分からインナーリード5が樹脂封止体3内に延伸されて構成される。
Claim (excerpt)：
樹脂により封止されたチップのソース端子面が外部の接地電位面の近傍に配置され、チップのソース端子が接続される部位の近傍におけるインナーリードの一部が、インナーリードの終端に至る以前に樹脂封止体から露出されて、露出部分からインナーリードが樹脂封止体内に延伸されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/60 321
, H01L 23/48
