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J-GLOBAL ID：200903043678880201

プラズマ処理装置

Inventor： 鈴木 正樹 ,  山本 重之
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994267189
Publication number (International publication number)：1996130207
Application date： Oct. 31, 1994
Publication date： May. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体、LCD基板の製造に用いられるドライエッチング装置などのプラズマ処理装置において、大型基板のヘリウム冷却を可能とし、スループットが大で、基板温度安定性の良いプラズマ処理装置を提供する。【構成】 被処理基板を載置するヘリウム供給口を有する凹状電極と、被処理基板の端面を基板の面に沿って押圧する端面加圧子と、基板平面を凹状に整形する板面加圧子を有し、被処理基板を電極の凹面に沿って押圧し、基板と電極の間にヘリウムを充満し、基板の円筒面に外面よりヘリウムの外圧をかけて有効に基板の冷却を行う。

Claim (excerpt)：

真空容器と、真空排気手段と、反応ガス供給手段と、最小一対の電極と、電極への高周波電力供給手段と、被処理基板と電極との間に不活性ガスを充満させるガス供給手段とを有するプラズマ処理装置において、被処理基板を載置する凹状の電極と、基板の端面を基板の面に沿って押圧する端面加圧子とを有するプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205