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J-GLOBAL ID：200903043681688605

電子デバイス用基板

Inventor： 矢野 義彦 ,  野口 隆男
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995231986
Publication number (International publication number)：1997055544
Application date： Aug. 16, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】 Si単結晶基板、この基板上に形成され、組成Zr1-x Rx O2-δ(ここで、RはYを含む希土類金属であり、x=0〜0.75である)の第1エピタキシャル酸化薄膜、この第1エピタキシャル酸化物薄膜上に形成され、組成が上記Zr1-x Rx O2-δでZrの含有量が徐々に減少した組成傾斜膜、およびこの組成傾斜膜上に形成され、前記Rの酸化物の第2エピタキシャル酸化物膜を備え、前記第1および第2エピタキシャル酸化物薄膜と前記組成傾斜膜がRが全て同一希土類金属である。【効果】 この構造体は、結晶性の優れた機能膜を得るための、結晶性の優れた表面をもつバッファ層を具備した電子デバイス用基板として、利用価値の高いものである。

Claim (excerpt)：

Si単結晶基板、この基板上に形成され、組成Zr1-x RxO2-δ(ここで、RはYを含む希土類金属であり、x=0〜0.75である)の第1エピタキシャル酸化薄膜、この第1エピタキシャル酸化物薄膜上に形成され、組成が上記Zr1-x Rx O2-δでZrの含有量が徐々に減少した組成傾斜膜、およびこの組成傾斜膜上に形成され、前記Rの酸化物の第2エピタキシャル酸化物膜を備え、前記第1および第2エピタキシャル酸化物薄膜と前記組成傾斜膜がRが全て同一希土類金属であることを特徴とする電子デバイス用基板。

IPC (3)：

H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA ,  C04B 41/89

FI (3)：

H01L 39/02 ZAA W ,  H01L 39/24 ZAA B ,  C04B 41/89 A