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J-GLOBAL ID：200903043682314172

セラミック多層基板及びその製造方法

Inventor： 毛利 昇 ,  松永 速 ,  葉山 雅昭
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997280111
Publication number (International publication number)：1999121645
Application date： Oct. 14, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 セラミック多層基板の製造方法として、配線抵抗が低く、高密度の配線が可能なものを提供する。【解決手段】 凹版を用いてセラミック基板2上に第1導体パターン3を転写し、第1絶縁層21を形成した上に第2導体パターン4を形成し、ビア11で両導体パターン3,4を接続する構成とする。

Claim (excerpt)：

セラミック基板上に第1導体パターンを凹版印刷によって形成し、第1導体パターンの上に絶縁体を形成しているセラミック多層基板の製造方法であって、(a)可とう性樹脂基材の表面に第1導体パターンに対応するパターンで第1の溝を形成し、又第1導体パターンのビア部に対応するパターンで第2の溝を第1の溝よりも深く形成した凹版を製造する工程と、(b)この第1及び第2の溝に導電性ペーストを充填し、脱泡及び乾燥する工程と、(c)前記工程(b)で乾燥された導電性ペーストを乾燥による体積減少分を補うために追加の導電性ペーストを再充填し、再脱泡及び再乾燥する工程とを所定の回数を繰り返す工程と、(d)この凹版とセラミック基板とを所定の範囲の熱及び圧力を加えることによって貼り合わせる工程と、(e)この凹版をセラミック基板から剥離して、導電性ペーストのパターンをセラミック基板上に転写し、焼成して第1導体パターンを形成する工程と、(f)第1導体パターンの上に第1絶縁層を印刷形成する工程と、(g)第1絶縁層の上に第2導体パターンを印刷形成する工程と、を包含するセラミック多層基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 23/12 ,  H05K 3/46 ,  H05K 3/20

FI (6)：

H01L 23/12 D ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 X ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/20 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電子部品およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-226584   Applicant：松下電器産業株式会社