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J-GLOBAL ID：200903043693072162

化合物半導体装置及びその製造方法

Inventor： 南 裕二 ,  上野 豊 ,  福田 利和 ,  木下 義弘 ,  本明 謙二 ,  今村 壮一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994106909
Publication number (International publication number)：1995321127
Application date： May. 20, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、ボンディング領域における基板と絶縁膜との剥離を防止するとともに、素子形成領域における耐湿性の向上を図り素子特性の劣化を抑制し得る化合物半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、化合物半導体基板1上に形成された素子形成領域6がシリコン窒化膜により選択的に被覆され、化合物半導体基板1上のボンディング領域7がシリコン酸化膜により選択的に被覆されて構成される。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板表面に形成された素子形成領域が第1の絶縁保護膜により選択的に被覆され、化合物半導体基板上のボンディング領域が第2の絶縁保護膜により選択的に被覆されてなることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/60 301