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J-GLOBAL ID:200903043697390142

ダイヤモンド結晶の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 若林 忠
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993262514
Publication number (International publication number):1995118093
Application date: Oct. 20, 1993
Publication date: May. 09, 1995
Summary:
【要約】【構成】 気相合成法を用いた、ダイヤモンド結晶の形成方法における基体への前処理法であって、少なくとも炭素を含有する化合物のプラズマ中で基体にバイアスを印加してダイヤモンド結晶核を形成するプラズマ処理法において、前記プラズマ中に体積比10%以上、80%以下のキセノンまたはクリプトンより選ばれた1種以上のガスを添加することを特徴とするダイヤモンド結晶の形成方法。【効果】 ダイヤモンド結晶の核発生が増加し、平坦性の良好なダイヤモンド結晶膜が得られる。更に、ダイヤモンド結晶の選択成長も可能となった。これらのダイヤモンド結晶は、特に電子材料、ヒートシンクとしてすぐれたものである。
Claim (excerpt):
気相合成法を用いた、ダイヤモンド結晶の形成方法における基体への前処理法であって、少なくとも炭素を含有する化合物のプラズマ中で基体にバイアスを印加してダイヤモンド結晶核を形成するプラズマ処理法において、前記プラズマ中に体積比10%以上、80%以下のキセノンまたはクリプトンより選ばれた1種以上のガスを添加することを特徴とするダイヤモンド結晶の形成方法。
IPC (4):
C30B 29/04 ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205

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