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J-GLOBAL ID：200903043704393500

半導体装置および電子機器

Inventor： 下川 英恵 ,  曽我 太佐男 ,  石田 寿治 ,  岡本 正英 ,  中塚 哲也
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001056121
Publication number (International publication number)：2002261104
Application date： Mar. 01, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明の目的は、高信頼な鉛フリーはんだによる温度階層接続を可能とすることにある。特に、上記のSn-Ag系、Sn-Ag-Cu系、Sn-Cu系、Sn-Zn系、及びこれにBiやInを添加した鉛フリーはんだを用いたときの温度階層接続を可能とすることにある。【解決手段】本発明は、上記目的を達成するために、半導体チップが20mass%以下のAl、30mass%以下のIn、残りがZnにより構成されるZn-Al-In系の鉛フリー材料を用いて接続され、該半導体チップの有する電極と外部との接続部分となるリードとがワイヤボンデングにより電気的に接続されたものである。

Claim (excerpt)：

半導体チップが20mass%以下のAl、30mass%以下のIn、残りがZnにより構成されるZn-Al-In系の鉛フリー材料を用いて接続されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 21/52 ,  B23K 35/28 310 ,  C22C 18/00 ,  C22C 18/02 ,  C22C 18/04 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H05K 3/34 512

FI (8)：

H01L 21/52 E ,  B23K 35/28 310 D ,  C22C 18/00 ,  C22C 18/02 ,  C22C 18/04 ,  H01L 21/60 311 S ,  H05K 3/34 512 C ,  H01L 21/92 603 B

F-Term (16)：

5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319BB01 ,  5E319BB04 ,  5E319BB05 ,  5E319BB10 ,  5E319GG11 ,  5E319GG20 ,  5F044KK08 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ03 ,  5F047BA05 ,  5F047BA14 ,  5F047BA15 ,  5F047BA17 ,  5F047BA19